DSC9G02C0L
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| Teilenummer | DSC9G02C0L |
| PNEDA Teilenummer | DSC9G02C0L |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 20V 650MHZ SSMINI3 |
| Hersteller | Panasonic Electronic Components |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 158.160 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 23 - Nov 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DSC9G02C0L Ressourcen
| Marke | Panasonic Electronic Components |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DSC9G02C0L |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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DSC9G02C0L Technische Daten
| Hersteller | Panasonic Electronic Components |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 20V |
| Frequenz - Übergang | 650MHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 3.3dB @ 100MHz |
| Gewinn | 24dB |
| Leistung - max | 125mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 65 @ 1mA, 6V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 15mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-89, SOT-490 |
| Lieferantengerätepaket | SSMini3-F3-B |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Frequenz - Übergang 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8.5dB Leistung - max 50W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55CX Lieferantengerätepaket 55CX |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 55V Frequenz - Übergang 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8.5dB ~ 10dB Leistung - max 125W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 300mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2.5A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55CT Lieferantengerätepaket 55CT |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.03GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 10.2dBd Leistung - max 2095W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55TU-1 Lieferantengerätepaket 55TU-1 |
Hersteller Ampleon USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7.4dB Leistung - max 690W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-439A Lieferantengerätepaket CDFM2 |
