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DSC9G02C0L

DSC9G02C0L

Nur als Referenz

Teilenummer DSC9G02C0L
PNEDA Teilenummer DSC9G02C0L
Beschreibung RF TRANS NPN 20V 650MHZ SSMINI3
Hersteller Panasonic Electronic Components
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Auf Lager 158.160
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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DSC9G02C0L Ressourcen

Marke Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDSC9G02C0L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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DSC9G02C0L Technische Daten

HerstellerPanasonic Electronic Components
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)20V
Frequenz - Übergang650MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)3.3dB @ 100MHz
Gewinn24dB
Leistung - max125mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce65 @ 1mA, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)15mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-89, SOT-490
LieferantengerätepaketSSMini3-F3-B

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Gewinn

-

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343 Reverse Pinning

Lieferantengerätepaket

4-SO

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB ~ 2.6dB @ 2GHz ~ 4GHz

Gewinn

6.5dB ~ 11dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-143R

Lieferantengerätepaket

SOT-143R

75109A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MS1402

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

450MHz ~ 512MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

750mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M122

Lieferantengerätepaket

M122

0912-7

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.5dB

Leistung - max

50W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55CX

Lieferantengerätepaket

55CX

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