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BFR360FH6327XTSA1

BFR360FH6327XTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BFR360FH6327XTSA1
PNEDA Teilenummer BFR360FH6327XTSA1
Beschreibung RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 631.860
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 23 - Nov 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFR360FH6327XTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFR360FH6327XTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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BFR360FH6327XTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)9V
Frequenz - Übergang14GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1dB @ 1.8GHz
Gewinn15.5dB
Leistung - max210mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce90 @ 15mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-723
LieferantengerätepaketPG-TSFP-3

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.6dB @ 900MHz

Gewinn

21.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143B

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

175MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

70W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M113

Lieferantengerätepaket

M113

BF959ZL1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

700MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz

Gewinn

-

Leistung - max

625mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

55GN01CA-TB-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

4.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB @ 1GHz

Gewinn

9.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

Gewinn

-

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

USM

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