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2N5770_D26Z

2N5770_D26Z

Nur als Referenz

Teilenummer 2N5770_D26Z
PNEDA Teilenummer 2N5770_D26Z
Beschreibung RF TRANS NPN 15V TO92-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.074
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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2N5770_D26Z Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N5770_D26Z
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
2N5770_D26Z, 2N5770_D26Z Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 295,86 KB)
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2N5770_D26Z Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)6dB @ 60MHz
Gewinn15dB
Leistung - max350mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 8mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2.6V

Frequenz - Übergang

85GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.75dB @ 5.5GHz

Gewinn

35dB

Leistung - max

75mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 10mA, 1.8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

4-TSFP

NSVF4020SG4T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

8V

Frequenz - Übergang

16GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 1GHz

Gewinn

17.5dB

Leistung - max

400mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

SC-82FL/MCPH4

MPS5179

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

CPH6001A-TL-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6.7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

11dB

Leistung - max

800mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 30mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

6-CPH

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89

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