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NE85634-T1

NE85634-T1

Nur als Referenz

Teilenummer NE85634-T1
PNEDA Teilenummer NE85634-T1
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
Hersteller CEL
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Auf Lager 4.950
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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NE85634-T1 Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE85634-T1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE85634-T1, NE85634-T1 Datenblatt (Total Pages: 26, Größe: 827,19 KB)
PDFNE85633L-A Datenblatt Cover
NE85633L-A Datenblatt Seite 2 NE85633L-A Datenblatt Seite 3 NE85633L-A Datenblatt Seite 4 NE85633L-A Datenblatt Seite 5 NE85633L-A Datenblatt Seite 6 NE85633L-A Datenblatt Seite 7 NE85633L-A Datenblatt Seite 8 NE85633L-A Datenblatt Seite 9 NE85633L-A Datenblatt Seite 10 NE85633L-A Datenblatt Seite 11

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NE85634-T1 Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang6.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.4dB @ 1GHz
Gewinn-
Leistung - max2W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketSOT-89

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

15dB ~ 17dB

Leistung - max

330W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

23 @ 10A, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

M177

Lieferantengerätepaket

M177

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NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

10.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Gewinn

17.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143B

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB @ 1GHz

Gewinn

7.2dB

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89

MPS3563

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

1.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

6.5dB @ 60MHz

Gewinn

14dB @ 200MHz

Leistung - max

350W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 8mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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