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NE85634-T1

NE85634-T1

Nur als Referenz

Teilenummer NE85634-T1
PNEDA Teilenummer NE85634-T1
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
Hersteller CEL
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Auf Lager 4.950
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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NE85634-T1 Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE85634-T1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE85634-T1, NE85634-T1 Datenblatt (Total Pages: 26, Größe: 827,19 KB)
PDFNE85633L-A Datenblatt Cover
NE85633L-A Datenblatt Seite 2 NE85633L-A Datenblatt Seite 3 NE85633L-A Datenblatt Seite 4 NE85633L-A Datenblatt Seite 5 NE85633L-A Datenblatt Seite 6 NE85633L-A Datenblatt Seite 7 NE85633L-A Datenblatt Seite 8 NE85633L-A Datenblatt Seite 9 NE85633L-A Datenblatt Seite 10 NE85633L-A Datenblatt Seite 11

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NE85634-T1 Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang6.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.4dB @ 1GHz
Gewinn-
Leistung - max2W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketSOT-89

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.03GHz ~ 1.09GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10.3dB ~ 11.65dB

Leistung - max

225W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55CX

Lieferantengerätepaket

55CX

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Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Transistortyp

5 NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.25dB @ 1kHz

Gewinn

-

Leistung - max

750mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

14-SOIC

0204-125

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Frequenz - Übergang

225MHz ~ 400MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB ~ 8.5dB

Leistung - max

270W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55JT

Lieferantengerätepaket

55JT

2SC5751-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

Gewinn

16dB

Leistung - max

205mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

-

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

1.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

6.5dB @ 60MHz

Gewinn

14dB @ 200MHz

Leistung - max

350W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 8mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Lieferantengerätepaket

TO-92

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