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BFU520VL

BFU520VL

Nur als Referenz

Teilenummer BFU520VL
PNEDA Teilenummer BFU520VL
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Hersteller NXP
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Auf Lager 6.282
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 15 - Nov 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFU520VL Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFU520VL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFU520VL, BFU520VL Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 304,04 KB)
PDFBFU520VL Datenblatt Cover
BFU520VL Datenblatt Seite 2 BFU520VL Datenblatt Seite 3 BFU520VL Datenblatt Seite 4 BFU520VL Datenblatt Seite 5 BFU520VL Datenblatt Seite 6 BFU520VL Datenblatt Seite 7 BFU520VL Datenblatt Seite 8 BFU520VL Datenblatt Seite 9 BFU520VL Datenblatt Seite 10 BFU520VL Datenblatt Seite 11

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BFU520VL Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang10.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB @ 1.8GHz
Gewinn17.5dB
Leistung - max450mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-253-4, TO-253AA
LieferantengerätepaketSOT-143B

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.3V

Frequenz - Übergang

15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

Gewinn

14dB

Leistung - max

190mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

SOT-343F

68231H

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

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-

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.3dB @ 836MHz

Gewinn

11.6dB

Leistung - max

6.4W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 250mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.2A

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-SOIC-EP

SD8002-01H

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

FMMT918TC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

330mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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