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2SC5455-A

2SC5455-A

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC5455-A
PNEDA Teilenummer 2SC5455-A
Beschreibung RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT143
Hersteller CEL
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Auf Lager 6.246
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2SC5455-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC5455-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
2SC5455-A, 2SC5455-A Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 2.562,32 KB)
PDFNE67839-A Datenblatt Cover
NE67839-A Datenblatt Seite 2 NE67839-A Datenblatt Seite 3 NE67839-A Datenblatt Seite 4 NE67839-A Datenblatt Seite 5 NE67839-A Datenblatt Seite 6 NE67839-A Datenblatt Seite 7 NE67839-A Datenblatt Seite 8 NE67839-A Datenblatt Seite 9

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2SC5455-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)6V
Frequenz - Übergang12GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.5dB @ 2GHz
Gewinn10dB
Leistung - max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce75 @ 30mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-253-4, TO-253AA
Lieferantengerätepaket-

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-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

22V

Frequenz - Übergang

3.7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6dB ~ 6.3dB

Leistung - max

9W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 420mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.2A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55BT

Lieferantengerätepaket

55BT

2SC3931GCL

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.3dB @ 100MHz

Gewinn

24dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

65 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-85

Lieferantengerätepaket

SMini3-F2

64077

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MT3S113P(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.3V

Frequenz - Übergang

7.7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.45dB @ 1GHz

Gewinn

10.5dB

Leistung - max

1.6W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 30mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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