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BFQ149,115

BFQ149,115

Nur als Referenz

Teilenummer BFQ149,115
PNEDA Teilenummer BFQ149-115
Beschreibung RF TRANS PNP 15V 5GHZ SOT89-3
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.168
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFQ149 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFQ149,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFQ149, BFQ149 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 227,8 KB)
PDFBFQ149 Datenblatt Cover
BFQ149 Datenblatt Seite 2 BFQ149 Datenblatt Seite 3 BFQ149 Datenblatt Seite 4 BFQ149 Datenblatt Seite 5 BFQ149 Datenblatt Seite 6 BFQ149 Datenblatt Seite 7

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BFQ149 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypPNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)3.3dB @ 500MHz
Gewinn-
Leistung - max1W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 70mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketSOT-89-3

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

550MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.5dB @ 100MHz

Gewinn

23dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

S-Mini

BFP760H6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4V

Frequenz - Übergang

45GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz

Gewinn

16.5dB ~ 29dB

Leistung - max

240mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 35mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

MMBTH10-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

2324-20

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Frequenz - Übergang

2.3GHz ~ 2.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB

Leistung - max

58W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 160mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Betriebstemperatur

200°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55AW

Lieferantengerätepaket

55AW

BFP 196R E6501

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

10.5dB ~ 16.5dB

Leistung - max

700mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

PG-SOT143-4

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