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2SC2714-O(TE85L,F)

2SC2714-O(TE85L,F)

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC2714-O(TE85L,F)
PNEDA Teilenummer 2SC2714-O-TE85L-F
Beschreibung RF TRANS NPN 30V 550MHZ SMINI
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 29.964
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2SC2714-O(TE85L Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC2714-O(TE85L,F)
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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2SC2714-O(TE85L Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)30V
Frequenz - Übergang550MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)2.5dB @ 100MHz
Gewinn23dB
Leistung - max100mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 1mA, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20mA
Betriebstemperatur125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketS-Mini

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Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

12dB ~ 17dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 10mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

USM

MDS800

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.09GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.6dB

Leistung - max

1458W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55ST-1

Lieferantengerätepaket

55ST-1

2SC4095-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

-

MPS5179G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

SD1477

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6dB

Leistung - max

270W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

M111

Lieferantengerätepaket

M111

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