MRF555G
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| Teilenummer | MRF555G |
| PNEDA Teilenummer | MRF555G |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 16V 470MHZ |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.210 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MRF555G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MRF555G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MRF555G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 16V |
| Frequenz - Übergang | 470MHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 12.5dB |
| Leistung - max | 3W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 100mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 500mA |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn - Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 20mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23) |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3.3V Frequenz - Übergang 15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB @ 2GHz Gewinn 14dB Leistung - max 190mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 24V Frequenz - Übergang 2.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7.8dB ~ 8.5dB Leistung - max 13W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 200mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.5A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Stud Mount Paket / Fall 55FT Lieferantengerätepaket 55FT |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz Gewinn 13dB ~ 15.5dB Leistung - max 1.25W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
