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LPT16ED

LPT16ED

Nur als Referenz

Teilenummer LPT16ED
PNEDA Teilenummer LPT16ED
Beschreibung RF TRANS NPN 4V 16GHZ DIE
Hersteller Skyworks Solutions
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Auf Lager 5.418
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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LPT16ED Ressourcen

Marke Skyworks Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLPT16ED
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
LPT16ED, LPT16ED Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 210,91 KB)
PDFLPT16ED Datenblatt Cover
LPT16ED Datenblatt Seite 2 LPT16ED Datenblatt Seite 3 LPT16ED Datenblatt Seite 4 LPT16ED Datenblatt Seite 5 LPT16ED Datenblatt Seite 6

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LPT16ED Technische Daten

HerstellerSkyworks Solutions Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)4V
Frequenz - Übergang16GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn5.2dB
Leistung - max250mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDie
LieferantengerätepaketDie

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NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.6dB @ 900MHz

Gewinn

18.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323-3

NE68030-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB @ 2GHz

Gewinn

9.4dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

2SC4853A-4-TL-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.6dB ~ 1.9dB @ 1GHz

Gewinn

7dB ~ 10.5dB @ 1GHz

Leistung - max

90mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 1mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

3-MCP

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

Gewinn

10dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

SOT-523

BF799WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

800MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB @ 100MHz

Gewinn

-

Leistung - max

280mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

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