BF799WH6327XTSA1
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| Teilenummer | BF799WH6327XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BF799WH6327XTSA1 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.348 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BF799WH6327XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BF799WH6327XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
BF799WH6327XTSA1, BF799WH6327XTSA1 Datenblatt
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BF799WH6327XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 20V |
| Frequenz - Übergang | 800MHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 3dB @ 100MHz |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 280mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 20mA, 10V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 35mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT323-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 11.5dB ~ 17dB Leistung - max 280mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45mA Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket PG-SOT323-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz Gewinn 13dB ~ 15.5dB Leistung - max 1.25W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 4.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz Gewinn 7dB ~ 9dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 7mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket 6-SO |
