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BF799WH6327XTSA1 Datenblatt

BF799WH6327XTSA1 Datenblatt
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Infineon Technologies
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: BF799WH6327XTSA1, BF799WE6327BTSA1
BF799WH6327XTSA1 Datenblatt Seite 1
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BF799WH6327XTSA1 Datenblatt Seite 6
BF799WH6327XTSA1

Infineon Technologies

BF799WH6327XTSA1

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

800MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB @ 100MHz

Gewinn

-

Leistung - max

280mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3
BF799WE6327BTSA1

Infineon Technologies

BF799WE6327BTSA1

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

800MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB @ 100MHz

Gewinn

-

Leistung - max

280mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3