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BF799WE6327BTSA1

BF799WE6327BTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BF799WE6327BTSA1
PNEDA Teilenummer BF799WE6327BTSA1
Beschreibung RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.538
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BF799WE6327BTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBF799WE6327BTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BF799WE6327BTSA1, BF799WE6327BTSA1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 510,24 KB)
PDFBF799WH6327XTSA1 Datenblatt Cover
BF799WH6327XTSA1 Datenblatt Seite 2 BF799WH6327XTSA1 Datenblatt Seite 3 BF799WH6327XTSA1 Datenblatt Seite 4 BF799WH6327XTSA1 Datenblatt Seite 5 BF799WH6327XTSA1 Datenblatt Seite 6

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BF799WE6327BTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)20V
Frequenz - Übergang800MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)3dB @ 100MHz
Gewinn-
Leistung - max280mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 20mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketPG-SOT323-3

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

65 @ 15mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

22GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz

Gewinn

21dB

Leistung - max

54mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

CMPAK-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

8V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Gewinn

-

Leistung - max

1W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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