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BF799WE6327BTSA1

BF799WE6327BTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BF799WE6327BTSA1
PNEDA Teilenummer BF799WE6327BTSA1
Beschreibung RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.538
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BF799WE6327BTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBF799WE6327BTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BF799WE6327BTSA1, BF799WE6327BTSA1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 510,24 KB)
PDFBF799WH6327XTSA1 Datenblatt Cover
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BF799WE6327BTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)20V
Frequenz - Übergang800MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)3dB @ 100MHz
Gewinn-
Leistung - max280mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 20mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketPG-SOT323-3

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

65 @ 15mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323-3

SRF4427

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

1.3GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

17dB ~ 18dB

Leistung - max

1.5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 150mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

KSC1730YTA

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

SD1526-01

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9.5dB

Leistung - max

21.9W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M115

Lieferantengerätepaket

M115

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz

Gewinn

7dB ~ 10dB

Leistung - max

130mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

140 @ 5mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

3-SuperMiniMold (M33)

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