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BFG410W,115

BFG410W,115

Nur als Referenz

Teilenummer BFG410W,115
PNEDA Teilenummer BFG410W-115
Beschreibung RF TRANS NPN 4.5V 22GHZ CMPAK-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.722
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 15 - Nov 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BFG410W Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG410W,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG410W, BFG410W Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 371,54 KB)
PDFBFG410W Datenblatt Cover
BFG410W Datenblatt Seite 2 BFG410W Datenblatt Seite 3 BFG410W Datenblatt Seite 4 BFG410W Datenblatt Seite 5 BFG410W Datenblatt Seite 6 BFG410W Datenblatt Seite 7 BFG410W Datenblatt Seite 8 BFG410W Datenblatt Seite 9 BFG410W Datenblatt Seite 10 BFG410W Datenblatt Seite 11

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BFG410W Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)4.5V
Frequenz - Übergang22GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
Gewinn21dB
Leistung - max54mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)12mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-82A, SOT-343
LieferantengerätepaketCMPAK-4

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

13.5dB ~ 20.5dB

Leistung - max

580mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

PG-SOT343-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

8V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18mA

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

5 NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 100MHz

Gewinn

27dB ~ 30dB

Leistung - max

85mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

MT3S111(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

11.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

700mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 30mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

S-Mini

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

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