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2SC4226-A

2SC4226-A

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC4226-A
PNEDA Teilenummer 2SC4226-A
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SC70-3
Hersteller CEL
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Auf Lager 7.002
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2SC4226-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC4226-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
2SC4226-A, 2SC4226-A Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 1.962,59 KB)
PDF2SC4226-A Datenblatt Cover
2SC4226-A Datenblatt Seite 2 2SC4226-A Datenblatt Seite 3 2SC4226-A Datenblatt Seite 4 2SC4226-A Datenblatt Seite 5 2SC4226-A Datenblatt Seite 6 2SC4226-A Datenblatt Seite 7 2SC4226-A Datenblatt Seite 8

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2SC4226-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang4.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
Gewinn9dB
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 7mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSC-70-3

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V, 10V

Frequenz - Übergang

22GHz, 9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

Gewinn

14.5dB

Leistung - max

200mW, 250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

130 @ 20mA, 3V / 100 @ 5mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA, 70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-XFDFN

Lieferantengerätepaket

TSLP-6-1

2SC5753-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

Gewinn

13.5dB

Leistung - max

205mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 30mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

-

80275H

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MAX2602ESA+T

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.3dB @ 836MHz

Gewinn

11.6dB

Leistung - max

6.4W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 250mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.2A

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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