MT3S111(TE85L,F)
Nur als Referenz
| Teilenummer | MT3S111(TE85L,F) |
| PNEDA Teilenummer | MT3S111-TE85L-F |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 51.288 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT3S111(TE85L Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT3S111(TE85L,F) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MT3S111(TE85L Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 6V |
| Frequenz - Übergang | 11.5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
| Gewinn | 12dB |
| Leistung - max | 700mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | S-Mini |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie * Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket SOT-343F |
Hersteller M/A-Com Technology Solutions Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7.5dB Leistung - max 75W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8.9A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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