MCH3478-TL-W
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| Teilenummer | MCH3478-TL-W |
| PNEDA Teilenummer | MCH3478-TL-W |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 2A MCPH3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MCH3478-TL-W Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MCH3478-TL-W |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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MCH3478-TL-W Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 130pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 800mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 3-MCPH |
| Paket / Fall | 3-SMD, Flat Leads |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 240µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 176nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11570pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 300W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO220-3-1 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 585mOhm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 230µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 430pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 94W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket LPTS Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 113nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3800pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 205W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3P Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
