BFG410W Datenblatt
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.5V Frequenz - Übergang 22GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz Gewinn 21dB Leistung - max 54mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket CMPAK-4 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.5V Frequenz - Übergang 22GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz Gewinn 21dB Leistung - max 54mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket CMPAK-4 |
