BFG410W,135
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| Teilenummer | BFG410W,135 |
| PNEDA Teilenummer | BFG410W-135 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 4.5V 22GHZ CMPAK-4 |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.534 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFG410W Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFG410W,135 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFG410W Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 4.5V |
| Frequenz - Übergang | 22GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz |
| Gewinn | 21dB |
| Leistung - max | 54mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 2V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 12mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-82A, SOT-343 |
| Lieferantengerätepaket | CMPAK-4 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 9V Frequenz - Übergang 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB @ 1.8GHz Gewinn 15.5dB Leistung - max 210mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 15mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-723 Lieferantengerätepaket TSFP-3-1 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2.25V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz Gewinn 13.5dB ~ 24.5dB Leistung - max 125mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 150 @ 15mA, 1.8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 55mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket SOT-343 |
