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BFG310W/XR,115

BFG310W/XR,115

Nur als Referenz

Teilenummer BFG310W/XR,115
PNEDA Teilenummer BFG310W-XR-115
Beschreibung RF TRANS NPN 6V 14GHZ CMPAK-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 4.572
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BFG310W/XR Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG310W/XR,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG310W/XR, BFG310W/XR Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 163,16 KB)
PDFBFG310W/XR Datenblatt Cover
BFG310W/XR Datenblatt Seite 2 BFG310W/XR Datenblatt Seite 3 BFG310W/XR Datenblatt Seite 4 BFG310W/XR Datenblatt Seite 5 BFG310W/XR Datenblatt Seite 6 BFG310W/XR Datenblatt Seite 7 BFG310W/XR Datenblatt Seite 8 BFG310W/XR Datenblatt Seite 9 BFG310W/XR Datenblatt Seite 10 BFG310W/XR Datenblatt Seite 11

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BFG310W/XR Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)6V
Frequenz - Übergang14GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1dB @ 2GHz
Gewinn18dB
Leistung - max60mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)10mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-82A, SOT-343
LieferantengerätepaketCMPAK-4

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.7V

Frequenz - Übergang

43GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz

Gewinn

11dB ~ 30.5dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 15mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

2.8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.5dB @ 800MHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 2mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB @ 2GHz

Gewinn

7.5dB

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

-

60189

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

KSC2786OTA

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

Gewinn

18dB ~ 22dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

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