BFS 466L6 E6327
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| Teilenummer | BFS 466L6 E6327 |
| PNEDA Teilenummer | BFS-466L6-E6327 |
| Beschreibung | RF TRANS 2 NPN 5V/9V 14GHZ TSLP |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.654 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 15 - Jan 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFS 466L6 E6327 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFS 466L6 E6327 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
BFS 466L6 E6327, BFS 466L6 E6327 Datenblatt
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BFS 466L6 E6327 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 NPN (Dual) |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 5V, 9V |
| Frequenz - Übergang | 22GHz, 14GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz |
| Gewinn | 12dB ~ 17dB |
| Leistung - max | 200mW, 210mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 90 @ 20mA, 3V / 90 @ 15mA, 3V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA, 35mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-XFDFN |
| Lieferantengerätepaket | TSLP-6-1 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang 30GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Gewinn 21.5dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 3.5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3V Frequenz - Übergang 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz Gewinn - Leistung - max 90mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 20mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-523 Lieferantengerätepaket 3-SuperMiniMold (19) |
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Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Transistortyp 5 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.5dB @ 1GHz Gewinn - Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC |
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