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NE68519-T1-A

NE68519-T1-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE68519-T1-A
PNEDA Teilenummer NE68519-T1-A
Beschreibung RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523
Hersteller CEL
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Auf Lager 4.338
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NE68519-T1-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE68519-T1-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE68519-T1-A, NE68519-T1-A Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 1.939,68 KB)
PDFNE68519-T1-A Datenblatt Cover
NE68519-T1-A Datenblatt Seite 2 NE68519-T1-A Datenblatt Seite 3 NE68519-T1-A Datenblatt Seite 4 NE68519-T1-A Datenblatt Seite 5 NE68519-T1-A Datenblatt Seite 6 NE68519-T1-A Datenblatt Seite 7 NE68519-T1-A Datenblatt Seite 8 NE68519-T1-A Datenblatt Seite 9 NE68519-T1-A Datenblatt Seite 10 NE68519-T1-A Datenblatt Seite 11

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NE68519-T1-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)6V
Frequenz - Übergang12GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.5dB @ 2GHz
Gewinn11dB
Leistung - max125mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce75 @ 10mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-523
LieferantengerätepaketSOT-523

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Serie

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Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB

Leistung - max

11W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.3A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MRF5812R1

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 500MHz

Gewinn

13dB ~ 15.5dB

Leistung - max

1.25W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

AT-31011-TR2G

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz

Gewinn

11dB ~ 13dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 2.7V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143

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