BFU590GX
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| Teilenummer | BFU590GX |
| PNEDA Teilenummer | BFU590GX |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT223 |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 58.812 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFU590GX Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFU590GX |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFU590GX Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 8.5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 8dB |
| Leistung - max | 2W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 80mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 200mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz Gewinn 9dB ~ 18dB Leistung - max 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-86 Lieferantengerätepaket 86 Plastic |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 800MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 6dB @ 200MHz Gewinn 24dB Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2.8V Frequenz - Übergang 45GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz Gewinn - Leistung - max 220mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 155 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket 4-DFP |
Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz Gewinn 9dB ~ 13dB Leistung - max 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 35mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-86 Lieferantengerätepaket 86 Plastic |
