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FGH40N60SMD

FGH40N60SMD FGH40N60SMD

Nur als Referenz

Teilenummer FGH40N60SMD
PNEDA Teilenummer FGH40N60SMD
Beschreibung IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 18.564
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGH40N60SMD Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGH40N60SMD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGH40N60SMD, FGH40N60SMD Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 802,46 KB)
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FGH40N60SMD Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypField Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 40A
Leistung - max349W
Schaltenergie870µJ (on), 260µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge119nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.12ns/92ns
Testbedingung400V, 40A, 6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)36ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

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STGBL6NC60DT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 3A

Leistung - max

56W

Schaltenergie

46.5µJ (on), 23.5µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6.7ns/46ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

GPI040A060MN-FD

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Leistung - max

231W

Schaltenergie

1.46mJ (on), 540µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

173nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/85ns

Testbedingung

400V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

IXBX64N250

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

156A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

600A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 64A

Leistung - max

735W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

400nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

49ns/232ns

Testbedingung

1250V, 128A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

160ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

SGR20N40LTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

8V @ 4.5V, 150A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

RGW80TS65GC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

78A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 40A

Leistung - max

214W

Schaltenergie

760µJ (on), 720µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/143ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

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MAX531BCPD+

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ADP1706ACPZ-3.3-R7

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ASVTX-12-A-38.400MHZ-I15-T

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MMSS8050-H-TP

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TRANS NPN 25V 1.5A SOT23

SD103AW-E3-08

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24LC512T-I/SN

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IC EEPROM 512K I2C 400KHZ 8SOIC

F951E106MAAAQ2

F951E106MAAAQ2

CAP TANT 10UF 20% 25V 1206