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UTV010

UTV010

Nur als Referenz

Teilenummer UTV010
PNEDA Teilenummer UTV010
Beschreibung RF TRANS NPN 24V 860MHZ 55FT
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 7.650
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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UTV010 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUTV010
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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UTV010 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)24V
Frequenz - Übergang470MHz ~ 860MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn11.5dB
Leistung - max15W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce15 @ 200mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1.25A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / Fall55FT
Lieferantengerätepaket55FT

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

30GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz

Gewinn

20dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 3.5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

4-TSFP

AT-42086-BLKG

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz

Gewinn

9dB ~ 13dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 35mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-86

Lieferantengerätepaket

86 Plastic

BFU550AR

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.6dB @ 900MHz

Gewinn

18dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB (SOT23)

MS2205

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9.5dB

Leistung - max

21.9W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M105

Lieferantengerätepaket

M105

AT-41532-TR2G

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz

Gewinn

9dB ~ 15.5dB

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70-3

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