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MAPRST0912-50

MAPRST0912-50

Nur als Referenz

Teilenummer MAPRST0912-50
PNEDA Teilenummer MAPRST0912-50
Beschreibung RF TRANS NPN 65V
Hersteller M/A-Com Technology Solutions
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Auf Lager 2.232
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MAPRST0912-50 Ressourcen

Marke M/A-Com Technology Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMAPRST0912-50
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
MAPRST0912-50, MAPRST0912-50 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 668,58 KB)
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MAPRST0912-50 Technische Daten

HerstellerM/A-Com Technology Solutions
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)65V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn10.16dB ~ 10.25dB
Leistung - max50W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)5.3A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

21GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz

Gewinn

16dB

Leistung - max

360mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 80mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

CMPAK-4

2N3866

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

500MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-39

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB @ 2GHz

Gewinn

9.4dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

125 @ 5mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

40033

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

75109A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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MAX202EEUE

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LTC4365IDDB#TRMPBF

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TAJA106K016RNJ

TAJA106K016RNJ

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WSL25125L000FTA

WSL25125L000FTA

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0154007.DR

0154007.DR

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