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MRF555

MRF555

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Teilenummer MRF555
PNEDA Teilenummer MRF555
Beschreibung RF TRANS NPN 16V POWER MACRO
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.570
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MRF555 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF555
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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MRF555 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)16V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn11dB ~ 13dB
Leistung - max3W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 250mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPower Macro
LieferantengerätepaketPower Macro

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

Gewinn

12.5dB ~ 14dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 2mA, 2.7V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143

CPH6021-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

14dB @ 1GHz

Leistung - max

700mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

6-CPH

JANTXV2N4957

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz

Gewinn

25dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-72-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-72

UMIL80

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

31V

Frequenz - Übergang

200MHz ~ 500MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB ~ 9.5dB

Leistung - max

220W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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55HV

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