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MSC1175M

MSC1175M

Nur als Referenz

Teilenummer MSC1175M
PNEDA Teilenummer MSC1175M
Beschreibung RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M218
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 8.874
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MSC1175M Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMSC1175M
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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MSC1175M Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)65V
Frequenz - Übergang1.025GHz ~ 1.15GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn8dB
Leistung - max400W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce15 @ 1A, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)12A
Betriebstemperatur250°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallM218
LieferantengerätepaketM218

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ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

14dB ~ 26dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 8mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.3GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

5dB @ 500MHz

Gewinn

53dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 2mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

E-Line-3, Formed Leads

Lieferantengerätepaket

E-Line (TO-92 compatible)

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.3dB @ 1GHz

Gewinn

8.3dB

Leistung - max

1.8W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 500MHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 2mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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