Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NTJD4001NT1G

NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G

Nur als Referenz

Teilenummer NTJD4001NT1G
PNEDA Teilenummer NTJD4001NT1G
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 1.699.314
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 9 - Apr 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NTJD4001NT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTJD4001NT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NTJD4001NT1G, NTJD4001NT1G Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 192,28 KB)
PDFNTJD4001NT2G Datenblatt Cover
NTJD4001NT2G Datenblatt Seite 2 NTJD4001NT2G Datenblatt Seite 3 NTJD4001NT2G Datenblatt Seite 4 NTJD4001NT2G Datenblatt Seite 5 NTJD4001NT2G Datenblatt Seite 6 NTJD4001NT2G Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NTJD4001NT1G Datasheet
  • where to find NTJD4001NT1G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NTJD4001NT1G
  • NTJD4001NT1G PDF Datasheet
  • NTJD4001NT1G Stock

  • NTJD4001NT1G Pinout
  • Datasheet NTJD4001NT1G
  • NTJD4001NT1G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NTJD4001NT1G Price
  • NTJD4001NT1G Distributor

NTJD4001NT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.3nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds33pF @ 5V
Leistung - max272mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSC-88/SC70-6/SOT-363

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SLA5037

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1630pF @ 10V

Leistung - max

5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

12-SIP

Lieferantengerätepaket

12-SIP w/fin

VMM45-02F

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

45A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

225nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7500pF @ 25V

Leistung - max

190W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-240AA

Lieferantengerätepaket

TO-240AA

QJD1210SA2

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 100A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 34mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8200pF @ 10V

Leistung - max

415W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTC90AM60T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Super Junction

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

59A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

540nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13600pF @ 100V

Leistung - max

462W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

TC6320K6-G

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 25V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN (4x4)

Kürzlich verkauft

ESDALC5-1BM2

ESDALC5-1BM2

STMicroelectronics

TVS DIODE 5V SOD882

ATXMEGA16A4U-AUR

ATXMEGA16A4U-AUR

Microchip Technology

IC MCU 8/16BIT 16KB FLASH 44TQFP

DEA1X3D470JN2A

DEA1X3D470JN2A

Murata

CAP CER 47PF 2KV SL RADIAL

AOZ1094AIL

AOZ1094AIL

Alpha & Omega Semiconductor

IC REG BUCK ADJUSTABLE 5A 8SOIC

AD623ANZ

AD623ANZ

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 8DIP

AT28C16-15PC

AT28C16-15PC

Microchip Technology

IC EEPROM 16K PARALLEL 24DIP

MAX1681ESA

MAX1681ESA

Maxim Integrated

IC REG CHARGE PUMP INV 8SOIC

ADM1184ARMZ-REEL7

ADM1184ARMZ-REEL7

Analog Devices

IC VOLT MONITOR/SEQ 4CH 10MSOP

BLM18AG601SN1D

BLM18AG601SN1D

Murata

FERRITE BEAD 600 OHM 0603 1LN

ADF4350BCPZ-RL7

ADF4350BCPZ-RL7

Analog Devices

IC SYNTH PLL VCO FN/IN 32LFCSP

MUR1100ERLG

MUR1100ERLG

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

VLS252010ET-1R0N

VLS252010ET-1R0N

TDK

FIXED IND 1UH 1.75A 84 MOHM SMD