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VMM45-02F

VMM45-02F

Nur als Referenz

Teilenummer VMM45-02F
PNEDA Teilenummer VMM45-02F
Beschreibung MOSFET 2N-CH 200V 45A TO-240AA
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.940
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VMM45-02F Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVMM45-02F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
VMM45-02F, VMM45-02F Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 37,8 KB)
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VMM45-02F Datenblatt Seite 2

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VMM45-02F Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFET™
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.45A
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs225nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds7500pF @ 25V
Leistung - max190W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallTO-240AA
LieferantengerätepaketTO-240AA

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Drain to Source Voltage (Vdss)

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22A, 30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

951pF @ 15V

Leistung - max

3.6W, 4.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Panasonic Electronic Components

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1450pF @ 10V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2950pF @ 25V

Leistung - max

45W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

150A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

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