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CM4957

CM4957

Nur als Referenz

Teilenummer CM4957
PNEDA Teilenummer CM4957
Beschreibung RF TRANS PNP 25V 2.5GHZ TO72
Hersteller Central Semiconductor Corp
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Auf Lager 5.886
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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CM4957 Ressourcen

Marke Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCM4957
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
CM4957, CM4957 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 254,97 KB)
PDFCM4957 Datenblatt Cover
CM4957 Datenblatt Seite 2 CM4957 Datenblatt Seite 3 CM4957 Datenblatt Seite 4 CM4957 Datenblatt Seite 5 CM4957 Datenblatt Seite 6 CM4957 Datenblatt Seite 7

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CM4957 Technische Daten

HerstellerCentral Semiconductor Corp
Serie-
TransistortypPNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)25V
Frequenz - Übergang2.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn25dB
Leistung - max300mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 2mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur-65°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-206AF, TO-72-4 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-72

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Renesas Electronics America Inc.

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-

Transistortyp

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB ~ 2dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

32mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 500µA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6.5mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB @ 2GHz

Gewinn

7.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-363

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

850MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

6.5dB @ 200MHz

Gewinn

15dB ~ 23dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB

Leistung - max

910W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Betriebstemperatur

250°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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