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MS1008

MS1008

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Teilenummer MS1008
PNEDA Teilenummer MS1008
Beschreibung RF TRANS NPN 55V 30MHZ M164
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 8.046
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MS1008 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMS1008
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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MS1008 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)55V
Frequenz - Übergang30MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn14dB
Leistung - max233W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce15 @ 1.4A, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)10A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallM164
LieferantengerätepaketM164

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12V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.7dB @ 900MHz

Gewinn

21dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 1GHz

Gewinn

10dB

Leistung - max

1.2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.6dB @ 900MHz

Gewinn

21.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 20mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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