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KST10MTF

KST10MTF

Nur als Referenz

Teilenummer KST10MTF
PNEDA Teilenummer KST10MTF
Beschreibung RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Hersteller ON Semiconductor
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KST10MTF Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerKST10MTF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
KST10MTF, KST10MTF Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 267,89 KB)
PDFKST10MTF Datenblatt Cover
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KST10MTF Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)25V
Frequenz - Übergang650MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max350mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 4mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

75V

Frequenz - Übergang

3.1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB

Leistung - max

500W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 3A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-423A

Lieferantengerätepaket

CDFM2

55GN01CA-TB-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

4.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB @ 1GHz

Gewinn

9.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

3-CP

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

860MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

19.4W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.2A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

M122

Lieferantengerätepaket

M122

15GN03CA-TB-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

1.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.6dB @ 0.4GHz

Gewinn

13dB @ 0.4GHz

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

3-CP

MDS500L

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

70V

Frequenz - Übergang

1.03GHz ~ 1.09GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9.2dB

Leistung - max

833W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55ST

Lieferantengerätepaket

55ST

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