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15GN03CA-TB-E

15GN03CA-TB-E

Nur als Referenz

Teilenummer 15GN03CA-TB-E
PNEDA Teilenummer 15GN03CA-TB-E
Beschreibung RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3CP
Hersteller ON Semiconductor
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

15GN03CA-TB-E Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer15GN03CA-TB-E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
15GN03CA-TB-E, 15GN03CA-TB-E Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 285,41 KB)
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15GN03CA-TB-E Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)10V
Frequenz - Übergang1.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.6dB @ 0.4GHz
Gewinn13dB @ 0.4GHz
Leistung - max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket3-CP

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.5dB

Leistung - max

20W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2.4A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

BFP720FESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.7V

Frequenz - Übergang

45GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz

Gewinn

10dB ~ 29dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 15mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

4-TSFP

AT-31011-TR1G

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz

Gewinn

11dB ~ 13dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 2.7V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143

2SC393400L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

4.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.5dB @ 800MHz

Gewinn

9dB ~ 12dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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