BFU530R
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| Teilenummer | BFU530R |
| PNEDA Teilenummer | BFU530R |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.580 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFU530R Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFU530R |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFU530R Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 11GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.6dB @ 900MHz |
| Gewinn | 21.5dB |
| Leistung - max | 450mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-253-4, TO-253AA |
| Lieferantengerätepaket | SOT-143B |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 16V Frequenz - Übergang 870MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 9.5dB Leistung - max 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Macro-X Lieferantengerätepaket Macro-X |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 6GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 11dB Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 5mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket SSM |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1.8GHz Gewinn 12dB Leistung - max 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40mA Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 800MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 6dB @ 200MHz Gewinn 24dB Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
