BFS 460L6 E6327
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| Teilenummer | BFS 460L6 E6327 |
| PNEDA Teilenummer | BFS-460L6-E6327 |
| Beschreibung | RF TRANS 2NPN 5.8V 22GHZ TSLP-6 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.596 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFS 460L6 E6327 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFS 460L6 E6327 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
BFS 460L6 E6327, BFS 460L6 E6327 Datenblatt
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BFS 460L6 E6327 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 NPN (Dual) |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 5.8V |
| Frequenz - Übergang | 22GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz |
| Gewinn | 10dB ~ 14.5dB |
| Leistung - max | 200mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 90 @ 20mA, 3V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-XFDFN |
| Lieferantengerätepaket | TSLP-6-1 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2.6V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 25.5dB Leistung - max 125mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) 55mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-XFDFN Lieferantengerätepaket TSLP-3-10 |
Hersteller Ampleon USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7.6dB Leistung - max 960W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) 21A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-439A Lieferantengerätepaket CDFM2 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 2.8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2.5dB @ 800MHz Gewinn - Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 55V Frequenz - Übergang 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8.1dB ~ 8.9dB Leistung - max 50W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.8A Betriebstemperatur 250°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M222 Lieferantengerätepaket M222 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Frequenz - Übergang 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
