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NE46134-AZ

NE46134-AZ

Nur als Referenz

Teilenummer NE46134-AZ
PNEDA Teilenummer NE46134-AZ
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89
Hersteller CEL
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Auf Lager 4.266
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NE46134-AZ Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE46134-AZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE46134-AZ, NE46134-AZ Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 1.041,34 KB)
PDFNE46134-AZ Datenblatt Cover
NE46134-AZ Datenblatt Seite 2 NE46134-AZ Datenblatt Seite 3 NE46134-AZ Datenblatt Seite 4 NE46134-AZ Datenblatt Seite 5 NE46134-AZ Datenblatt Seite 6 NE46134-AZ Datenblatt Seite 7 NE46134-AZ Datenblatt Seite 8 NE46134-AZ Datenblatt Seite 9 NE46134-AZ Datenblatt Seite 10

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NE46134-AZ Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang5.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
Gewinn7dB
Leistung - max2W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 50mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)250mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketSOT-89

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Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

Gewinn

-

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

SSM

BFP620E7764BTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2.8V

Frequenz - Übergang

65GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Gewinn

21.5dB

Leistung - max

185mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 50mA, 1.5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

PG-SOT343-4

BFR183E6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

17.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

8V

Frequenz - Übergang

16GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

17.5dB @ 1GHz

Leistung - max

400mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz

Gewinn

9dB ~ 13dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 35mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-86

Lieferantengerätepaket

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