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AT-42086-TR2G

AT-42086-TR2G

Nur als Referenz

Teilenummer AT-42086-TR2G
PNEDA Teilenummer AT-42086-TR2G
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC
Hersteller Broadcom
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Auf Lager 3.312
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AT-42086-TR2G Ressourcen

Marke Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT-42086-TR2G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
AT-42086-TR2G, AT-42086-TR2G Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 67,5 KB)
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AT-42086-TR2G Technische Daten

HerstellerBroadcom Limited
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz
Gewinn9dB ~ 13dB
Leistung - max500mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 35mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-86
Lieferantengerätepaket86 Plastic

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11V

Frequenz - Übergang

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

330mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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ON Semiconductor

Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

800MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

6dB @ 200MHz

Gewinn

24dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MPS3563

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

1.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

6.5dB @ 60MHz

Gewinn

14dB @ 200MHz

Leistung - max

350W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 8mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92

BFP196E6327HTSA1

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

10.5dB ~ 16.5dB

Leistung - max

700mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

PG-SOT143-4

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