BFS 483 E6327
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| Teilenummer | BFS 483 E6327 |
| PNEDA Teilenummer | BFS-483-E6327 |
| Beschreibung | RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.118 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFS 483 E6327 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFS 483 E6327 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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BFS 483 E6327 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 NPN (Dual) |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 8GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Gewinn | 19dB |
| Leistung - max | 450mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 70 @ 15mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 65mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT363-6 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz Gewinn - Leistung - max 125mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 7mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-623F Lieferantengerätepaket M03 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 1.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 6.5dB @ 60MHz Gewinn 14dB @ 200MHz Leistung - max 350W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 8mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Frequenz - Übergang 470MHz ~ 860MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8.5dB Leistung - max 65W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 500mA, 20V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5.2A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M156 Lieferantengerätepaket M156 |
