MS1579
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| Teilenummer | MS1579 |
| PNEDA Teilenummer | MS1579 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 25V 860MHZ M156 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.030 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MS1579 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MS1579 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MS1579 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 25V |
| Frequenz - Übergang | 470MHz ~ 860MHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 8.5dB |
| Leistung - max | 65W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 10 @ 500mA, 20V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 5.2A |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | M156 |
| Lieferantengerätepaket | M156 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 18V Frequenz - Übergang 4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 100mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket SOT-89-3 |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4V Frequenz - Übergang 26.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.55dB @ 2GHz Gewinn 16.9dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 10mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket USQ |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.03GHz ~ 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 9dB Leistung - max 175W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5.4A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M214 Lieferantengerätepaket M214 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn - Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 65 @ 15mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23) |
