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AT-41500-GP4

AT-41500-GP4

Nur als Referenz

Teilenummer AT-41500-GP4
PNEDA Teilenummer AT-41500-GP4
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 8GHZ DIE
Hersteller Broadcom
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AT-41500-GP4 Ressourcen

Marke Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT-41500-GP4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
AT-41500-GP4, AT-41500-GP4 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 151,52 KB)
PDFAT-41500-GP4 Datenblatt Cover
AT-41500-GP4 Datenblatt Seite 2 AT-41500-GP4 Datenblatt Seite 3 AT-41500-GP4 Datenblatt Seite 4 AT-41500-GP4 Datenblatt Seite 5

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AT-41500-GP4 Technische Daten

HerstellerBroadcom Limited
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
Gewinn8dB ~ 17dB
Leistung - max500mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60mA
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDie
LieferantengerätepaketDie

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 1.6dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

9dB ~ 13.5dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

SC-75

MS2502W

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MS2200A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

NE68033-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

Gewinn

9dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

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