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AT-41500-GP4

AT-41500-GP4

Nur als Referenz

Teilenummer AT-41500-GP4
PNEDA Teilenummer AT-41500-GP4
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 8GHZ DIE
Hersteller Broadcom
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Auf Lager 3.312
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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AT-41500-GP4 Ressourcen

Marke Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT-41500-GP4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
AT-41500-GP4, AT-41500-GP4 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 151,52 KB)
PDFAT-41500-GP4 Datenblatt Cover
AT-41500-GP4 Datenblatt Seite 2 AT-41500-GP4 Datenblatt Seite 3 AT-41500-GP4 Datenblatt Seite 4 AT-41500-GP4 Datenblatt Seite 5

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AT-41500-GP4 Technische Daten

HerstellerBroadcom Limited
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
Gewinn8dB ~ 17dB
Leistung - max500mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60mA
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDie
LieferantengerätepaketDie

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

SC-75

SD1275

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB

Leistung - max

70W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

M135

Lieferantengerätepaket

M135

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 1.6dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

9dB ~ 13.5dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

MS2502W

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

SD1019

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

35V

Frequenz - Übergang

136MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

4.5dB

Leistung - max

117W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Betriebstemperatur

200°C

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

M130

Lieferantengerätepaket

M130

Kürzlich verkauft

JAN2N2222A

JAN2N2222A

Microsemi

TRANS NPN 50V 0.8A

AD8062ARZ

AD8062ARZ

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MCP41010T-I/SN

MCP41010T-I/SN

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MT25QU512ABB8ESF-0SIT

MT25QU512ABB8ESF-0SIT

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LT3437IFE#PBF

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AS5263-HQFM

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74438356150

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