BFQ18A,115
Nur als Referenz
| Teilenummer | BFQ18A,115 |
| PNEDA Teilenummer | BFQ18A-115 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT89-3 |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 33.354 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFQ18A Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFQ18A,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFQ18A Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 18V |
| Frequenz - Übergang | 4GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 1W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 25 @ 100mA, 10V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150mA |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-243AA |
| Lieferantengerätepaket | SOT-89-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Frequenz - Übergang 1.2GHz ~ 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7dB Leistung - max 88W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 4A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55AW Lieferantengerätepaket 55AW |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 850MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 6.5dB @ 200MHz Gewinn 15dB ~ 23dB Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8dB Leistung - max 400W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Betriebstemperatur 250°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M218 Lieferantengerätepaket M218 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.4dB @ 1.8GHz Gewinn 12dB Leistung - max 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23) |
