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NE68030-T1-R45-A

NE68030-T1-R45-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE68030-T1-R45-A
PNEDA Teilenummer NE68030-T1-R45-A
Beschreibung RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT323
Hersteller CEL
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NE68030-T1-R45-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE68030-T1-R45-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE68030-T1-R45-A, NE68030-T1-R45-A Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 901,45 KB)
PDFNE68030-T1-R45-A Datenblatt Cover
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NE68030-T1-R45-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)10V
Frequenz - Übergang10GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.9dB @ 2GHz
Gewinn9.4dB
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce125 @ 5mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSOT-323

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

18.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz

Gewinn

-

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 40mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343 Reverse Pinning

Lieferantengerätepaket

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BLT80,115

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

900MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 150mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2.8V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 2.4GHz

Gewinn

13.1dB

Leistung - max

220mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

155 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

4-DFP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

360mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB (SOT23)

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