1035MP
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| Teilenummer | 1035MP |
| PNEDA Teilenummer | 1035MP |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW-1 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.644 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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1035MP Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1035MP |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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1035MP Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 65V |
| Frequenz - Übergang | 1.025GHz ~ 1.15GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 10dB ~ 10.5dB |
| Leistung - max | 125W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 100mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 2.5A |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | 55FW-1 |
| Lieferantengerätepaket | 55FW-1 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.3dB @ 100MHz Gewinn 24dB Leistung - max 125mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 65 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-89, SOT-490 Lieferantengerätepaket SSMini3-F3-B |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn - Leistung - max 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 250mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket SOT-89 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 100MHz ~ 500MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8.5dB ~ 10dB Leistung - max 140W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 7A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55JT Lieferantengerätepaket 55JT |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.3dB @ 500MHz Gewinn - Leistung - max 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 70mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket SOT-89-3 |
