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BFQ19,115

BFQ19,115

Nur als Referenz

Teilenummer BFQ19,115
PNEDA Teilenummer BFQ19-115
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89-3
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.436
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BFQ19 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFQ19,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFQ19, BFQ19 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 226,06 KB)
PDFBFQ19 Datenblatt Cover
BFQ19 Datenblatt Seite 2 BFQ19 Datenblatt Seite 3 BFQ19 Datenblatt Seite 4 BFQ19 Datenblatt Seite 5 BFQ19 Datenblatt Seite 6 BFQ19 Datenblatt Seite 7

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BFQ19 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang5.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)3.3dB @ 500MHz
Gewinn-
Leistung - max1W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce25 @ 70mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketSOT-89-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

150MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SC-70-3 (SOT323)

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.3V

Frequenz - Übergang

21GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

Gewinn

12.5dB

Leistung - max

115mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

-

KST5179MTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

900MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 200MHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

11dB

Leistung - max

180mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2.8V

Frequenz - Übergang

25GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz

Gewinn

-

Leistung - max

234mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

235 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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