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2N4416A

2N4416A 2N4416A

Nur als Referenz

Teilenummer 2N4416A
PNEDA Teilenummer 2N4416A_105
Beschreibung JFET N-CH 35V 0.3W TO-72
Hersteller Central Semiconductor Corp
Stückpreis
1 ---------- $3,3285
250 ---------- $3,1725
500 ---------- $3,0165
1.000 ---------- $2,8604
2.500 ---------- $2,7304
5.000 ---------- $2,6004
Auf Lager 1.818
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2N4416A Ressourcen

Marke Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N4416A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
2N4416A, 2N4416A Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 1.121,82 KB)
PDF2N4416A Datenblatt Cover
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2N4416A Technische Daten

HerstellerCentral Semiconductor Corp
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)35V
Drain to Source Voltage (Vdss)35V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)5mA @ 15V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id2.5V @ 1nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4pF @ 15V
Widerstand - RDS (Ein)-
Leistung - max300mW
Betriebstemperatur-65°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-206AF, TO-72-4 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-72

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

25mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

4V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

27pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

175 Ohms

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-18

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Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

4V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 20V

Widerstand - RDS (Ein)

30 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

J202_D74Z

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

900µA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

800mV @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

625mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-206AA (TO-18)

2N4856JTXL02

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-206AA (TO-18)

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