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STGW45HF60WDI

STGW45HF60WDI STGW45HF60WDI

Nur als Referenz

Teilenummer STGW45HF60WDI
PNEDA Teilenummer STGW45HF60WDI
Beschreibung IGBT 600V 70A 250W TO247
Hersteller STMicroelectronics
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STGW45HF60WDI Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGW45HF60WDI
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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STGW45HF60WDI Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 30A
Leistung - max250W
Schaltenergie330µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge160nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-/145ns
Testbedingung400V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)90ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 60A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

1.09mJ (on), 626µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

306nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

51ns/160ns

Testbedingung

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

52A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

113A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 24A

Leistung - max

230W

Schaltenergie

500µJ (on), 450µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

37nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/125ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

33ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263HV

AOK40B60D

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

312.5W

Schaltenergie

1.72mJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

63.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/77ns

Testbedingung

400V, 40A, 7.5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

138ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

NGTB35N60FL2WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 35A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

840µJ (on), 280µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

125nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

72ns/132ns

Testbedingung

400V, 35A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

68ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

APT15GP60KG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

56A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

65A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 15A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

130µJ (on), 121µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

8ns/29ns

Testbedingung

400V, 15A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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