SGP30N60HSXKSA1
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| Teilenummer | SGP30N60HSXKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | SGP30N60HSXKSA1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 41A 250W TO220-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.534 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Sep 23 - Sep 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SGP30N60HSXKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SGP30N60HSXKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
SGP30N60HSXKSA1, SGP30N60HSXKSA1 Datenblatt
(Total Pages: 12, Größe: 356,55 KB)
  
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SGP30N60HSXKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 41A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 112A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.15V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 250W |
| Schaltenergie | 1.15mJ |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 141nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 20ns/250ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 11Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 47A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 54A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 18A Leistung - max 206W Schaltenergie 95µJ (on), 350µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 35nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/105ns Testbedingung 400V, 18A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
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