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KSC1393OTA

KSC1393OTA

Nur als Referenz

Teilenummer KSC1393OTA
PNEDA Teilenummer KSC1393OTA
Beschreibung RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.142
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KSC1393OTA Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerKSC1393OTA
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
KSC1393OTA, KSC1393OTA Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 41,53 KB)
PDFKSC1393YTA Datenblatt Cover
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KSC1393OTA Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)30V
Frequenz - Übergang700MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)2dB ~ 3dB @ 200MHz
Gewinn20dB ~ 24dB
Leistung - max250mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 2mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

6 NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz

Gewinn

12.4dB ~ 17.5dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

14-SOIC

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

5.2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

Gewinn

10.5dB @ 1GHz

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

SMCP

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz

Gewinn

7dB ~ 10dB

Leistung - max

130mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

140 @ 5mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

3-SuperMiniMold (M33)

MS1001

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

30MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

13dB

Leistung - max

270W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M174

Lieferantengerätepaket

M174

MRF5812MR2

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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