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BFR93A,235

BFR93A,235

Nur als Referenz

Teilenummer BFR93A,235
PNEDA Teilenummer BFR93A-235
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 6GHZ TO236AB
Hersteller NXP
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Auf Lager 6.768
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BFR93A Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFR93A,235
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFR93A, BFR93A Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 269,9 KB)
PDFBFR93A Datenblatt Cover
BFR93A Datenblatt Seite 2 BFR93A Datenblatt Seite 3 BFR93A Datenblatt Seite 4 BFR93A Datenblatt Seite 5 BFR93A Datenblatt Seite 6 BFR93A Datenblatt Seite 7 BFR93A Datenblatt Seite 8 BFR93A Datenblatt Seite 9 BFR93A Datenblatt Seite 10 BFR93A Datenblatt Seite 11

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BFR93A Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang6GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
Gewinn-
Leistung - max300mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 30mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketTO-236AB (SOT23)

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Frequenz - Übergang

1GHz ~ 1.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB ~ 7.5dB

Leistung - max

19W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55LV

Lieferantengerätepaket

55LV

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

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Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

30GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz

Gewinn

21.5dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 3.5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

PG-SOT343-4

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 8mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB ~ 7.1dB

Leistung - max

720W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

19.8A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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Lieferantengerätepaket

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